Змінити режим перегляду


АНАЛІЗ
 Властивості об’єктів:

смуга крайової люмінесценції


  • На рисунку 1.5 відображено тонку структуру піків люмінесценції, серед яких можна виділити 3 зони: - область люмінесценції (440 нм) екситона - вузькі смуги, що знаходяться поблизу краю забороненої зони, - область крайової люмінесценції (460 нм) - смуги власної люмінесценції переважно за участю VZn (рекомбінація на власних дефектах - перехід електрону на Д-А рівень комплексу [VZn- - VSe+] - 2,7 еВ), - область донорно-акцепторної люмінесценції (550 – 640 нм) – смуги донорно-акцепторної рекомбінації, яка відбувається за участю дрібних рівнів поблизу зони провідності, що сформувалися при легуванні і наступній термічній обробці кристалів. При допурованні ZnSe телуром співвідношення інтенсивностей смуг крайової і дефектної люмінесценції змінюється на користь дефектної. Вивчення кінетики висвічення досліджуваних зразків показало, що інтенсивність крайової люмінесценції ZnSe(460 нм) починає затухати через 100 нс, тоді як дефектні смуги спостерігаються при часах затримки – 10 мкс. Таким чином, управляючи структурою точкових дефектів кристалів ZnSe, ми можемо міняти вклад кожної смуги люмінесценції (екситоном, крайовою, дефектною).

Споріднені вершини: дивитись