Змінити режим перегляду


АНАЛІЗ
 Властивості об’єктів:

максимум спектру люмінесценції


  • Дослідження рентгенолюмінесценції отриманих зразків показало, що кристали, доповані 3-и валентними елементами – Al, Bi, Ga – проявляють високу інтенсивність свічення без термічного відпалу з максимумом люмінесценції при 600 нм (мал. 1.4 (а)), тобто вже на стадії вирощування в кристалі формується структура комплексів точкових дефектів, що є центрами висвічення в цій області спектру. Положення максимуму спектрів люмінесценції усіх досліджуваних зразків до ТО в парах цинку знаходиться в районі 600 нм. За даними низькотемпературних вимірів спектрів рентгенолюмінесценції було встановлено (рис. 1.6), що, як для чистого ZnSe, так і для ZnSe(Ca), ZnSe(Sr), вклад в основну люмінесценцію дають 3 смуги з максимумами – 550, 600 і 640 нм.

Споріднені вершини: дивитись