Змінити режим перегляду


АНАЛІЗ
 Властивості об’єктів:

рентгенолюмінесценція кристалів


  • Дослідження температурної залежності рентгенолюмінесценції кристалів ZnSe(Ca) показало, що при низьких температурах люмінесценція екситона в цих кристалах не спостерігається, а інтенсивність крайової люмінесценції при Т < 50К стає вищою, ніж у чистого ZnSe (рис. 1.7).
  • 3.4 Рентгенолюмінесценція кристалів вольфрамату кадмію. Інтегральна інтенсивність рентгенолюмінесценції кристала CdWO4:Na в 1,5 рази перевищує таку для кристала CdWO4:WO3, і в 5,5 рази більше, ніж для кристала CdWO4:Ag.

Споріднені вершини: дивитись