Змінити режим перегляду


АНАЛІЗ
 Властивості об’єктів:

поверхня кристалів


  • Для виявлення дислокацій на поверхні кристалів ZnWO4 в площині (010) попередньо проводили хімічну поліровку поверхні наступним чином: витримували зразок у розчині HCl:H3PO4 (1:2) протягом 10 хвилин. Окрім тетраедричних ямок дислокацій на протравленій поверхні кристалів ZnWO4 спостерігались також поява дендритів та сліди площин ковзання. Травлення поверхні сколу кристалів ZnхMg1-хWO4 по площині (010) показало наступні результаті: було отримано ямки травлення нерівномірно розташовані по поверхні відколу, щільність яких зростала ближче до центру кристала, наприклад рис. 4.16, і склала 7 х 103 – 2 х 105 ямок / см2.

Споріднені вершини: дивитись