Змінити режим перегляду


АНАЛІЗ
 Властивості об’єктів:

ТОМОГРАФ (З розділами без $)



НАЗВА
1
()
СПИСОК АВТОРІВ
2
()
ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ. СИМВОЛІВ. ОДИНИЦЬ
3
()
Перелік посилань
4
()
Публікації за даною темою
5
()
Об’єкти дослідження
6
()
Мета роботи
7
()
Методи дослідження та апаратура
8
()
Результати та їх новизна
9
()
Основні конструктивні. технологічні й технiкоексплуатацiйнi характеристики та показники
10
()
Ступінь впровадження
11
()
Взаємозв’язок з іншими роботами
12
()
Рекомендації щодо використання результатів роботи
13
()
основа
14
()
століття
15
()
переваги
16
()
обстеження
17
()
пацієнт
18
()
візуалізація
19
()
кераміка
20
()
ангіографія
21
()
колоноскопія
22
()
діагностика
23
()
захворювання
24
()
реконструкція
25
()
горизонт
26
()
вихідний матеріал
27
()
кристалічні матеріали
28
()
використання сцинтиляційного матеріалу
29
()
контрастна чутливість
30
()
діапазон чутливості
31
()
спектр чутливості
32
()
проблеми виготовлення
33
()
можливість виготовлення
34
()
спосіб виготовлення
35
()
рентгенівська томографія
36
()
медична томографія
37
()
комп'ютерна томографія
38
()
тіньові зображення
39
()
рентгенівські зображення
40
()
максимум спектру випромінювання
41
()
смуга випромінювання
42
()
спектр випромінювання
43
()
максимум люмінесценції
44
()
малий рівень
45
()
рівень гомогенізації
46
()
рівень люмінесценції
47
()
високий рівень
48
()
вимірювання рівня післясвічення
49
()
можливість отримання
50
()
умови отримання
51
()
система сканування
52
()
використання композиційних сцинтиляторів
53
()
використання композитних панелей
54
()
можливість створення
55
()
можливість застосування
56
()
однорідність сцинтиляційних параметрів
57
()
сцинтиляційні панелі
58
()
композитні панелі
59
()
сцинтиляційні елементи
60
()
монокристалічні елементи
61
()
кількість елементів
62
()
методики сканування
63
()
томографічні дослідження
64
()
ретельні дослідження
65
()
дослідження кристалів
66
()
товщина шару
67
()
ефективність поглинання
68
()
коефіцієнт оптичного поглинання
69
()
вольфрамат кадмію
70
()
токсичний кадмій
71
()
коефіцієнт спектрального узгодження
72
()
коефіцієнт світлового виходу
73
()
сульфід цинку
74
()
кінетичні параметри селеніду цинку
75
()
дози опромінення
76
()
енергоселективні детектори
77
()
сцинтиляційні детектори
78
()
детектори скануючих систем
79
()
детектори рентгенівської інтроскопії
80
()
багатоелементний фотодетектор
81
()
піксель фотодетектора
82
()
квантовий вихід люмінесценції
83
()
сцинтиляційні кристали
84
()
площина кристалу
85
()
подрібнені кристали
86
()
поверхня кристалів
87
()
композитний сцинтилятор
88
()
оксидний сцинтилятор
89
()
властивості
90
()
комплекс
91
()
інструмент
92
()
розплав
93
()
вирощування монокристалів
94
()
процес вирощування
95
()
вирощування кристалів
96
()
оптико-люминесцентні параметри
97
()
сцинтиляційні параметри кристалів
98
()
напівпровідниковий сцинтилятор
99
()
спосіб управління
100
()
спосіб отримання
101
()
ізовалентні домішки
102
()
полівалентні домішки
103
()
контрольовані домішки
104
()
комп’ютерний томограф
105
()
жорсткі вимоги
106
()
кінетична характеристика люмінесценції
107
()
однорідність характеристик
108
()
температурна стабільність
109
()
метод Бриджмена
110
()
концентрація допанта
111
()
концентрація вакансій кисню
112
()
критерій
113
()
аніон
114
()
валентність
115
()
заміщення
116
()
спотворення
117
()
відмінність
118
()
атом
119
()
вплив
120
()
реабсорбція
121
()
зміщення
122
()
суперпозиція
123
()
електропровідність
124
()
трансформація
125
()
алюміній
126
()
телур
127
()
екситон
128
()
експеримент
129
()
катіонна домішка
130
()
стан катіона
131
()
вакансія кисню
132
()
легування зразків
133
()
відпал зразків кристалів
134
()
люмінесценція сцинтилятора
135
()
структура піків люмінесценції
136
()
механізм люмінесценції
137
()
загасання люмінесценції
138
()
інтенсивність люмінесценції
139
()
смуги крайової люмінесценції
140
()
інтенсивність крайової люмінесценції
141
()
гасіння дефектної люмінесценції
142
()
смуги дефектної люмінесценції
143
()
забруднення кристала
144
()
інтенсивність свічення кристалів
145
()
недопоровані кристали
146
()
рентгенолюмінесценція кристалів
147
()
спектр пропускання кристалів
148
()
спектр поглинання кристалів
149
()
спектр рентгенолюмінесценції кристалів
150
()
стехіометричні дефекти кристала
151
()
кінетичні параметри кристалів
152
()
параметри змішаних кристалів
153
()
максимум спектру люмінесценції
154
()
структура спектрів люмінесценції
155
()
трансформація спектрів
156
()
спектр імпульсної катодолюмінесценції кристалів
157
()
спектр люмінесценції кристалів
158
()
спектр оптичного пропускання
159
()
вимірювання спектрів рентгенолюмінесценції
160
()
видимий діапазон спектру
161
()
ІЧ область спектру
162
()
смуга поглинання
163
()
смуга дефектної люмінесценції
164
()
смуга крайової люмінесценції
165
()
смуга рентгенолюмінесценції
166
()
валентні елементи
167
()
донорні елементи
168
()
структура точкових дефектів
169
()
зона провідності
170
()
функціональні параметри
171
()
допуючі домішки
172
()
носій заряду
173
()
пастка заряду
174
()
пари цинку
175
()
дослідження температурної залежності рентгенолюмінесценції
176
()
інтенсивність радіолюмінесценції
177
()
залежність інтенсивності свічення
178
()
залежність інтенсивності рентгенолюмінесценції
179
()
інтегральна інтенсивність рентгенолюмінесценції
180
()
низька температура
181
()
температура кристала
182
()
діапазон температур
183
()
оптичні характеристики кристалів
184
()
смуга свічення
185
()
низькотемпературна фотолюмінесценція
186
()
температурна залежність
187
()
кристалічна решітка
188
()
порядок
189
()
результат
190
()
поліпшені параметри
191
()
доповані кристали
192
()
допоровані кристали
193
()
оптичне пропускання монокристалів
194
()
фотолюмінесценція монокристалів
195
()
легування монокристалів
196
()
комплекс досліджень
197
()
вимірювання світлового виходу
198
()
час висвічення
199
()
час спікання
200
()
час відпалу
201
()
залежність від часу
202
()
сцинтиляційні характеристики кристалів
203
()
стабільність світлового виходу
204
()
люмінофор
205
()
випромінювач
206
()
нейтрон
207
()
розчинність
208
()
персонал
209
()
кристал ряду твердих розчинів
210
()
кристалічний об'ємний матеріал
211
()
особливості отримання
212
()
процес отримання
213
()
технології отримання
214
()
халькогенідний сцинтилятор
215
()
використання рентгенівських випромінювачів
216
()
детектор теплових нейтронів
217
()
детектор інтроскопічних систем
218
()
час загасання люмінесценції
219
()
низькоенергетичний канал
220
()
прилад візуалізації
221
()
сцинтиляційне матеріалознавство
222
()
медичне приладобудування
223
()
радіаційні навантаження
224
()
радіаційний об'єкт
225
()
тиск
226
()
реактор
227
()
газ
228
()
аргон
229
()
нагрівач
230
()
аналіз
231
()
співвідношення
232
()
порівняння
233
()
формування
234
()
об'ємний кристал
235
()
кристали твердих розчинів ZnSe-ZnS
236
()
твердофазний синтез
237
()
склад вихідної шихти
238
()
склад кристала
239
()
склад твердого розчину
240
()
кристали стехіометричного складу
241
()
метод Бриджмена-Стокбаргера
242
()
спікання суміші порошків
243
()
вміст компонентів
244
()
вміст домішок
245
()
безградієнтна зона
246
()
зона максимального градієнта
247
()
горизонтальна піч
248
()
піч високого тиску
249
()
переміщення тигля
250
()
графітовий тигель
251
()
допомога
252
()
перетворювач
253
()
фотон
254
()
забезпечення
255
()
обробка
256
()
спектрофотометр
257
()
струм
258
()
напруга
259
()
мультиплексор
260
()
контролер
261
()
комп'ютер
262
()
осцилограф
263
()
блок управління
264
()
використання спектрофлуориметра
265
()
використання рентгенівської трубки
266
()
спектр випромінювання люмінесценції
267
()
спектр збудження люмінесценції
268
()
спектр збудження висвічування
269
()
кремнієвий фотодіод
270
()
метод тестування
271
()
джерело рентгенівського випромінювання
272
()
гармоніка лазеру
273
()
решітковий монохроматор
274
()
монохроматор збудження
275
()
рентгенівська трубка
276
()
оптична прозорість
277
()
довжина хвилі
278
()
збільшення
279
()
область
280
()
перегин
281
()
змішаний кристал
282
()
коефіцієнт пропускання
283
()
концентрація сірки
284
()
вміст сірки
285
()
донорноакцепторна люмінесценція
286
()
сірка
287
()
провідність
288
()
підвищення температури
289
()
світловихід
290
()
комерційний кристал
291
()
спектральний склад
292
()
концентрація точкових дефектів
293
()
проблема
294
()
летючість
295
()
термообробка
296
()
умова взаємодії
297
()
умови виготовлення
298
()
можливість управління
299
()
випаровування
300
()
видалення
301
()
середовище
302
()
повітря
303
()
забарвлення
304
()
створення
305
()
різноманітність
306
()
видалення кисню
307
()
дефіцит кисню
308
()
оксид кадмію
309
()
дефіцит кадмію
310
()
гетеровалентні домішки
311
()
оксид вольфраму
312
()
відновлення вольфраму
313
()
концентрація кисню
314
()
гетеровалентний ізоморфізм
315
()
ізовалентний ізоморфізм
316
()
метод Чохральського
317
()
компенсація дефектів
318
()
локалізація електронів
319
()
шихта
320
()
введення
321
()
карбонат
322
()
зростання
323
()
положення
324
()
окислення
325
()
розкладання
326
()
кластеризація
327
()
розсіювання
328
()
кластер
329
()
компенсатор
330
()
рекомендації
331
()
зменшення
332
()
зниження температури
333
()
леговані кристали
334
()
відпал кристалів
335
()
легування кристалів
336
()
прозорість кристалів
337
()
оптичне поглинання кристалів
338
()
посилення поглинання
339
()
край поглинання
340
()
тривалентні домішки
341
()
заряд домішки
342
()
одновалентні домішки
343
()
інтенсивна смуга
344
()
широка смуга
345
()
подвійне легування
346
()
метод легування
347
()
асиметрія
348
()
емісія
349
()
деформація
350
()
кріостат
351
()
нелеговані кристали
352
()
кристалічна ґратка кристала
353
()
номінально чисті кристали
354
()
підґратка кристала
355
()
люмінесценція кристалічної ґратки
356
()
деформація спектрів люмінесценції
357
()
спектр фотолюмінесценції
358
()
концентрація домішок
359
()
двовалентні домішки
360
()
кімнатна температура
361
()
гамма-випромінювання
362
()
рентгенівське випромінювання
363
()
випромінювання ксенонової лампи
364
()
імпульс збудження
365
()
механізм збудження
366
()
фотоприймач
367
()
підсилювач
368
()
апарат
369
()
срібло
370
()
інтервал
371
()
смуга фотолюмінесценції
372
()
тривалість
373
()
літій
374
()
додавання
375
()
вісмут
376
()
релаксація
377
()
щільність дислокацій кристалів
378
()
спайність кристалів
379
()
смуга пропускання
380
()
швидка люмінесценція
381
()
загасання імпульсної катодолюмінесценції кристалів
382
()
компонент загасання
383
()
характер загасання
384
()
час загасання
385
()
спектральний діапазон
386
()
часовий діапазон
387
()
наносекундний діапазон
388
()
діапазон енергій
389
()
спектральна чутливість
390
()
експоненціальний закон
391
()
електрод
392
()
фотопомножувач
393
()
кореляція
394
()
азот
395
()
антикатод
396
()
потужність
397
()
доза
398
()
сталість
399
()
нагрів
400
()
терморегулятор
401
()
фільтр
402
()
схема
403
()
вакуум
404
()
бездомішковий зразкок
405
()
пік ТСП
406
()
спектр ТСП
407
()
інтенсивність ТСП
408
()
вимірювання ТСП
409
()
ТСП кристалів
410
()
пік ТСЛ
411
()
ТСЛ кристалів
412
()
спектр ТСЛ
413
()
інтенсивність ТСЛ
414
()
вимірювання ТСЛ
415
()
сигнал ТСЛ
416
()
низькотемпературний пік
417
()
пік термолюмінесценції
418
()
дефектність кристалів
419
()
час опромінення
420
()
молібден
421
()
залізо
422
()
явище
423
()
компонент рентгенолюмінесценції
424
()
стаціонарна рентгенолюмінесценція
425
()
повільний компонент
426
()
коефіцієнт входження
427
()
метал
428
()
погіршення
429
()
атмосфера
430
()
дефектність
431
()
синхронізація
432
()
інформація
433
()
детектування
434
()
датчик
435
()
стехіометрія кристала
436
()
поріг концентрації
437
()
вимірювально-обчислювальна система
438
()
спільне легування
439
()
кобальт
440
()
кремній
441
()
технологічний вихід
442
()
задача отримання
443
()
прийоми отримання
444
()
метод хімічного травлення
445
()
пристрій
446
()
якість
447
()
мета
448
()
властивість
449
()
одержання кристалів
450
()
можливість одержання
451
()
вольфрамат цинку
452
()
діаметр
453
()
відношення
454
()
маса
455
()
етап
456
()
сполука
457
()
стехіометрія
458
()
фаза
459
()
кристалізація
460
()
градієнт
461
()
період
462
()
автономність
463
()
режим
464
()
клас
465
()
випадіння
466
()
випарювання
467
()
доцільність
468
()
анізотропність
469
()
симетрія
470
()
магній
471
()
охолодження кристалу
472
()
термообробка кристалів
473
()
великорозмірні монокристали
474
()
однорідні монокристали
475
()
стабільні теплові умови
476
()
швидкість витягування
477
()
швидкість обертання
478
()
вольфрамат магнію
479
()
процес виготовлення
480
()
камера охолодження
481
()
ростова камера
482
()
фазовий склад
483
()
площина спайності
484
()
сліди площин ковзання
485
()
залишкове напруження
486
()
метод скануючої електронної мікроскопії
487
()
сировина
488
()
оптимізація
489
()
кваліфікація
490
()
присутність
491
()
відхилення
492
()
фтор
493
()
надлишок
494
()
забарвленість
495
()
знебарвлення
496
()
поєднання
497
()
фторид
498
()
придушення
499
()
ефективність
500
()
світло

Страницы:   1 2