відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

крихкі матеріали


Статистичний розподіл Вейбула для контактної міцності композиту
  • Одержані залежності твердості за Віккерсом від навантаження на індентор демонструють незвичний ефект підвищення твердості композитів cBN-Cu і cBN-Si зі збільшенням зусилля, що не притаманно для крихких матеріалів.
  • Одержані залежності твердості за Віккерсом від навантаження на індентор демонструють незвичний ефект підвищення твердості досліджених матеріалів зі збільшенням зусилля індентування, що не притаманно для крихких матеріалів (рис. 4.21). Зниження твердості зі зростанням нагрузки на індентор спостерігається в багатьох випадках для різних крихких матеріалів, зокрема таких керамічних систем як B4C-VB2; SiC-ZrB2-B4C; SiC-TiB2-B4C; TiCrB2; TiB2; TiN-AlN; Al2O3-Cr2O3, поведінка яких детально вивчена [113]. В цьому плані широко відомі публікації Т. Танигучі з вивчення механічних властивостей високочистих матеріалів КНБ, одержаних як спіканням, так і методом твердофазного перетворення [114, 115].
  • Для визначення твердості, тріщиностійкості, локальної міцності при розтягу компакту ?Si3N4 (зразок 1, табл. 5.1) використовували методи індентування з аналізом результатів вимірювань на основі розробленої моделі індентування крихких матеріалів у відділі конструкційної кераміки і керметів ІПМ ім. І.М. Францевича НАН України [112, 113] (рис. 5.14) – спільно з О.М. Григор’євим та В.А. Котенко.
  • Одержані залежності твердості за Віккерсом від навантаження на індентор демонструють типову поведінку з характерним зменшенням значень HV в області значних зусиль навантаження, яка притаманна крихким матеріалам (рис. 5.29).
  • Як уже відзначалось, зниження твердості зі зростанням нагрузки на індентор спостерігається в багатьох випадках для різних крихких матеріалів, зокрема таких керамічних систем як B4C-VB2; SiC-ZrB2-B4C; SiC-TiB2-B4C; TiCrB2; TiB2; TiN-AlN; Al2O3-Cr2O3, поведінка яких детально вивчена [113].
  • Використання методів досліджень композиційних крихких матеріалів [112, 113] дозволило одержати ряд даних відносно контактної міцності cBN-Si3N4(3,3 об. %) – зразок за оптимальними технологічними показниками №6 (рис. 5.30).


Супермножина:


Споріднені вершини: