відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

провідні елементи

  • Основною рисою для всіх випадків одержання композитів cBN–Me, cBN-Si шляхом інфільтрації розплавів в капілярно-пористу структуру КНБ є відносно невеликі об’ємні долі інфільтрованих компонентів (2–16 об. %), при яких вони завжди формують єдиний фрактальний кластер взаємопов’язаних провідних (Ме), або напівпровідних (Si) елементів, що обумовлено перкаляційним характером їх утворення.
  • Як відзначалось, особливістю структури композиту з інфільтрованою міддю є те, що не дивлячись на відносно невеликий вміст провідної компоненти, вона формує макрокластер взаємопов’язаних провідних елементів.У зв’язку з цим необхідно також наголосити про складний хімічний склад поверхневого шару частинок КНБ, який утримує в собі за даними ОЖЕ-електронної спектроскопії порівнянні вмісти елементів B, C, N і O (див. табл. 4.6).
  • Вивчення електрофізичних характеристик композитів cBN-Cu і cBN-Si демонструє незвичну поведінку матеріалів в вольт-амерних залежностях. Так на прикладі cBN-Cu (8,01 об. %) встановлено наступне: щільність композиту 3,93 г/см3; модуль Юнга – 733 ГПа, коефіцієнт Пуансона 0,16; твердість за Віккерсом – 31,6 ± 1,7 ГПа, твердість за Кнупом – 25,3 ± 3,2 ГПа (в обох випадках при навантаженні на індентор 100 Н); особливістю структури композиту з інфільтрованою міддю є те, що не дивлячись на відносно невеликий вміст провідної компоненти, вона формує макрокластер взаємопов’язаних провідних елементів; міжфазна поверхня в композиті досягає по порядку величини ~ 1м2/г, завдяки мікронним і субмікронним розмірам «пелюстків» міді в шпаруватій структурі cBN. Передбачається, що значна питома міжфазна поверхня є відповідальною за незвичні електрофізичні властивості матеріалу: загальний рівень питомого електроопору на рівні 1,7 Ом?см – в порівнянні з високочистим полікристалом cBN знижується на 13 порядків; при напрузі 0,0029 В спостерігається різкий (сторчовий) стрибок електроопору зразка від 1,75 Ом до 6665 Ом (~ в 130 разів) з наступною плавною релаксацією до вихідного рівню вже при 0,008 В. Одержані дані дають можливість прогнозувати ефективне використання композиту в наступному: довговічні і високонадійні електроконтактні матеріали для електротехніки; поглиначі радіохвиль для радіотехнічних пристроїв; датчики нульової напруги для електронних приладів та інші функціональні елементи твердотільної електроніки.


Супермножина:


Споріднені вершини: