відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

щільність дислокацій кристалів


Рисунок 4.14 – Площина (001) кристалу ZnWO4 протравлена протягом 25 хв. у киплячому розчині КОН. Зближення ?200
  • Щільність дислокацій досліджувалась методом хімічного травлення. При дослідженні щільності дислокацій кристалів ZnxMg1-xWO4 травленню підлягали свіжі сколи кристалів без будь-якої попередньої підготовки. Щільність дислокацій у кристалі ZnWO4 на площині (001) має значення ~ 2 х 104 ямок/см2 (рис. 4.14). Щільність дислокацій складала 103 – 104 та зростала у напрямку від центра до периферії площини сколу, як показано на рис. 4.15. Травлення поверхні сколу кристалів ZnхMg1-хWO4 по площині (010) показало наступні результаті: було отримано ямки травлення нерівномірно розташовані по поверхні відколу, щільність яких зростала ближче до центру кристала, наприклад рис. 4.16, і склала 7 х 103 – 2 х 105 ямок / см2. В результаті проведених експериментів можна сказати, що середнє значення щільності дислокацій між усіма дослідженими кристалами ряду ZnxMg1-xWO4 становить від 102 до 7 х 104 ямок/см2. У кристалах ZnWO4 щільність дислокацій була більш високою на зовнішніх областях поверхні, ніж у центрі і варіюється від 103 до 104. Щільність дислокацій змінюється радиально від центру до периферії в 10 – 100 раз. Також необхідно відмітити, що із збільшенням вмісту магнію щільність дислокацій збільшується. Для виявлення дислокацій на поверхні кристалів ZnWO4 в площині (010) попередньо проводили хімічну поліровку поверхні наступним чином: витримували зразок у розчині HCl:H3PO4 (1:2) протягом 10 хвилин. Окрім тетраедричних ямок дислокацій на протравленій поверхні кристалів ZnWO4 спостерігались також поява дендритів та сліди площин ковзання.


Супермножина:


Споріднені вершини: