відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

шихта


Таблиця 3.3 – Порівняльні характеристики легованих кристалів CdWO4, які отримані різними способами
  • Домішки вводилися в шихту у вигляді оксидів або карбонатів. Так, наприклад, відпал в кисневій атмосфері або введення одновалентних домішок (наприклад, Li) призводять до зменшення конценрації центрів забарвлення, що обумовлені завжди присутніми у вихідній шихті неконтрольованими домішками Ме3+ і до підвищення оптичного поглинання кристалів.
  • Літій + і Bi вводили шляхом додавання в шихту Liв концентрації 0,25 мас. % (Далі 2CO3 CdWO4:Li).
  • Інтенсивність ТСЛ кристалів вольфрамату кадмію, що леговані літієм, набагато нижче номінально чистого кристала, який вирощений з шихти чистотою 4N. Піки ТСЛ кристала з літієм лежать в області температур нижче 160 К (рис. 3.17).
  • Отримані результати досліджень лягли в основу розробленого нами способу вирощування сцинтиляційних монокристалів легованого вольфрамату кадмію, де у якості легуючої добавки в шихту або розплав вводять сполуки літію (Li2CO3 и/или Li2WO4). Величина післясвітіння для зразків кристалів з різною концентрацією легуючої домішки 5?10-4 – 10-1 мас% склала 0,001 – 0,008 % при вимірюванні через 20 мс після припинення опромінення, у той час як для номінально чистого монокристалу при аналогічних умовах ця величина складає 0,018 – 0,022 % (таблиця 3.3). У додатку А приведена лабораторна методика № 94:2015 одержання шихти вольфрамата кадмія.
  • Для отримання шихти для монокристалів ZnWO4 та ZnxMg1-xWO4 був використаний твердофазний метод синтезу.
  • Показано, що легування ZnWO4 La2O3, або Sm2O3 концентрацією 0,05 мас. % у шихті призводить до збільшення світлового виходу майже в 1,5 раза.
  • Рентгенофазовий аналіз (РФА) шихти та монокристалів проводився на дифрактометрі типу ДРОН – 3М в наступному режимі: випромінювання – Сu К., висока напруга – 35 еВ, анодний струм – 20 мА, щілини – 2х8х12х0,25 мм, Ni– фільтр діапазон 1 х 10-1/с, постійна часу 2,5 с, швидкість руху детектора град/сек, швидкість діаграмної стрічки 300 мм/година. Методом скануючої електронної мікроскопії встановлено, що всі монокристали мають стехіометричний состав вихідної шихти. У додатку Б приведена лабораторна методика № 95:2015 одержання шихти вольфрамата цинку.
  • Для приготування шихти GAАG: Ce оксиди Gd2O3, Al2O3, Ga2O3, CeO2 чистотою 4N змішували в композиції Gd2,7Ce0,3Al2,5Ga2,5O13. Кристали GAGG:Ce вирощували методом Чохральського з синтезованої шихти.