відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

фотон

  • Криві загасання люмінесценції вимірювали з використанням методики підрахунку кількості фотонів в залежності від часу.
  • Кристали, що отримані цим способом, характеризуються низьким рівнем післясвітіння (< 0,02 / < 0,002% через 3 мс і 20 мс, відповідно), світловим виходом 20000 фотонів / МеВ і високою однорідністю сцинтиляційних параметрів по всьому об'єму кристала (розкид в межах 10 % ).
  • Розподіл надлишкової енергії фотонів (ћ? - Eg) між кінетичними енергіями електрона і дірки обернено пропорційно їх ефективним масам.
  • Для створення детектора з максимальною чутливістю, високим динамічним діапазоном, стійкістю до зовнішніх впливів та необхідними кінетичними параметрами, компоненти детектора повинні задовольняти наступним вимогам: -оптимальний для даного виду випромінювання ефективний атомний номер Zeff матеріалу сцинтилятору, -високий квантовий вихід люмінесценції сцинтилятору (> 50 тис. фотонів/МеВ, розкид світлового виходу < 3 %). -спектр власного випромінювання сцинтилятору близький до форми спектральної чутливості фотодіода (пік люмінесценції вище 550 нм). -малий коефіцієнт оптичного поглинання сцинтилятору, -низький рівень післясвітіння (< 0,02 % через 3 мс і < 0,002 % через 300 мс). -низька температурна залежність інтенсивності люмінесценції (коливання світлового виходу в температурному діапазоні 20 – 40 град x 0,1 %/град). -висока радіаційна стійкість сцинтилятору і ФД (девіація не більше, ніж 0,3 % в день і не більше, ніж 1 % в місяць при робочому завантаженні сканеру). -задовільні кінетичні характеристики сцинтилятору і ФД.