відображення
об’єктна онтологія
стрічковий вигляд
табличний вигляд
агрегована таблиця
сортування
за алфавітом
за вершинами
нова вкладка
email:
Пароль:
X
КАТАЛОГ ОНТОЛОГІЇ
Звіт Інституту сцинтиляційних матеріалів «ТОМОГРАФ-2»
сцинтилятор
матеріал
детектор
параметр
кристал
характеристика
однорідність
прозорість
монокристал
легування
щільність
спайність
твердий розчин
вихід
світловий вихід
застосування
чутливість
виготовлення
спосіб
томографія
зображення
випромінювання
максимум
рівень
рівень післясвічення
гомогенізація
отримання
умова
взаємодія
томограф
система
люмінесценція
час
залежність
фотолюмінесценція
використання
селенід
селенід цинку
можливість
застосування
однорідність
розмір
панелі
елемент
кількість
сканування
система
дослідження
кристал
характеристика
однорідність
прозорість
монокристал
легування
щільність
спайність
твердий розчин
візуалізація
шар
поглинання
кадмій
вольфрамат
вольфрамат кадмію
вольфрамат цинку
вольфрамат кадмію
характеристика
однорідність
коефіцієнт
спектр
пропускання
цинк
селенід
селенід цинку
сульфід
селенід цинку
опромінення
спосіб
домішка
концентрація
заряд
носій заряду
вимоги
стабільність
структура
дефект
вирощування
метод
концентрація
смуга
зразок
зона
іон
заряд
носій заряду
інтенсивність
радіолюмінесценція
інтенсивність ТСЛ
температура
підвищення
зниження
рекомбінація
вакансія
вакансія кисню
свічення
залежність
умова
взаємодія
решітка
катіон
стан
стан катіона
стан катіона
електрон
кінетика
склад
час
залежність
розчин
твердий розчин
сульфід
канал
значення
прилад
візуалізація
процес
матеріалознавство
вміст
приладобудування
енергія
сигнал
навантаження
об'єкт
синтез
спікання
піч
тигель
компонент
швидкість
витягування
вимірювання
рівень післясвічення
збудження
механізм
імпульс
пік
фотодіод
рентгенолюмінесценція
джерело
лазер
монохроматор
трубка
прозорість
пропускання
діапазон
енергія
підвищення
кількість
відпал
монокристал
легування
вольфрамат
вольфрамат кадмію
вольфрамат цинку
взаємодія
кисень
вакансія
вакансія кисню
вакансія кисню
оксид
механізм
вольфрам
відновлення
дефіцит
ізоморфізм
компенсація
дефект
локалізація
електрон
легування
утворення
зниження
відновлення
фотолюмінесценція
закон
загасання
час
залежність
імпульс
щільність
пік
ТСП
ТСЛ
сигнал
інтенсивність ТСЛ
ймовірність
рекомбінація
рівень післясвічення
одержання
можливість
застосування
витягування
камера
охолодження
площина
ковзання
спайність
напруження
мікроскопія
світловий вихід
розділення
стан
стан катіона
моделювання
твердий розчин
флуктуація
травлення
кінетика
динаміка
динаміка
поверхня
ковзання
гомогенізація
частинка
розмір
дисперсність
дисперсність
селенід цинку
радіолюмінесценція
композит
дискретність
клей
забруднення
основа
століття
переваги
обстеження
пацієнт
кераміка
ангіографія
колоноскопія
діагностика
захворювання
реконструкція
горизонт
властивості
комплекс
інструмент
розплав
критерій
аніон
валентність
заміщення
спотворення
відмінність
атом
вплив
реабсорбція
зміщення
суперпозиція
електропровідність
трансформація
алюміній
телур
екситон
експеримент
порядок
результат
люмінофор
випромінювач
нейтрон
розчинність
персонал
тиск
реактор
газ
аргон
нагрівач
аналіз
співвідношення
порівняння
формування
допомога
перетворювач
фотон
забезпечення
обробка
спектрофотометр
струм
напруга
мультиплексор
контролер
комп'ютер
осцилограф
блок управління
довжина хвилі
збільшення
область
перегин
сірка
провідність
проблема
летючість
термообробка
випаровування
видалення
середовище
повітря
забарвлення
створення
різноманітність
шихта
введення
карбонат
зростання
положення
окислення
розкладання
кластеризація
розсіювання
кластер
компенсатор
рекомендації
зменшення
асиметрія
емісія
деформація
кріостат
фотоприймач
підсилювач
апарат
срібло
інтервал
тривалість
літій
додавання
вісмут
релаксація
електрод
фотопомножувач
кореляція
вольфрамат кадмію
азот
антикатод
потужність
доза
сталість
нагрів
терморегулятор
фільтр
схема
вакуум
молібден
залізо
явище
метал
погіршення
атмосфера
дефектність
синхронізація
інтенсивність ТСЛ
інформація
детектування
датчик
кобальт
кремній
пристрій
якість
мета
властивість
діаметр
відношення
маса
етап
сполука
стехіометрія
фаза
кристалізація
градієнт
період
автономність
режим
клас
випадіння
випарювання
доцільність
анізотропність
симетрія
магній
сировина
оптимізація
кваліфікація
присутність
відхилення
фтор
надлишок
забарвленість
знебарвлення
поєднання
фторид
вольфрамат цинку
вакансія кисню
придушення
ефективність
світло
модифікація
європій
рентген
показник
перерозподіл
припущення
ефект
центр
носій заряду
вивчення
зв'язок
діелектрик
квант
розподіл
модуляція
фактор
близькість
іонізація
активатор
церій
походження
вольфраміт
дірки
величина
стан катіона
розрахунок
відстань
множення
різниця
випадок
наявність
модель
поведінка
внесок
відповідність
термалізація
сфера Онзагера
застосовність
протиріччя
особливість
рухливість
тенденція
дифузія
амплітуда
коливання
мінімум
дендрит
поліровка
рух
ідентифікація
рентгенограма
база
існування
виявлення
кислота
мікроскоп
вода
переохолодження
фіксування
гомогенність
похибка
розподілення
методика
стійкість
відсутність
обмеження
варіювання
форма
порошок
фракція
екран
гранат
гадоліній
апаратура
розрізнення
орієнтація
випробування
обчислення
мідь
зіставлення
узгодження
селективність
густина
інтерполяція
лютецій
переміщення
коліматор
визначення
анод
еталон
топограма
захист
приймач
неоднорідність
збирання
урахування
плотер
контроль
тестування
відтворення
реєстрація
сканер
програма
повторювання
операція
різання
розрізання
штангенциркуль
мікрометр
лінійка
вакуумування
приготування
каталізатор
шпатель
установка
розрідження
нанесення
суміщення
корекція
розташування
пінцет
закінчення
полімеризація
палітра
ідея
покоління
ослаблення
речовина
вирішення
безпека
розбіжності
тканина
патенти України
впровадження
виробництво
висвітлення
перспективність
яскравість
поліпшення
ПОВНИЙ ТЕКСТ ЗВІТУ
Пошук
Вибрана Вершина:
Вершина2:
співвідношення
Для досліджень використовували набір зразків кристалів твердих розчинів ZnS-ZnSe, вирощених з наступним атомним співвідношенням халькогенів: ZnSe0,95S0,05; ZnSe0,75S0,25; ZnSe0,7S0,3; ZnSe0,6S0,4.
Цей факт може привести до відхилення від стехіометрії, що неприпустимо, так як ця сполука відноситься до класу дальтонидів в кристалі буде спостерігатися випадіння фази ZnO. Для забезпечення можливості одержання кристалів зі складом найбільш близьким до стехіометричного, необхідно створити умови які мінімізують зміну співвідношення вихідних оксидів у розплаві за рахунок випарювання, або початкове застосувати сировину з певним відхиленням від стехіометрії. Співвідношення між Zn, Mg і W в кристалах оцінювали за допомогою скануючої електронної мікроскопії з можливістю елементного аналізу.
Наприклад, у випадку (LuxY1-х)ВO3:Ce іони церію (іонний радіус Се3+ = 1,143 A) заміщають переважно Y3+ (іонний радіус = 1,02 A), а не Lu3+ (іонний радіус = 0,98 A). (III) Фазовий склад може змінюватися в залежності від співвідношення компонентів у твердому розчині.
Супермножина:
Звіт Інституту сцинтиляційних матеріалів «ТОМОГРАФ-2»