відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

розплав

  • Відомо декілька способів управління структурою точкових дефектів, і всим комплексом оптико-люминесцентных параметрів напівпровідникового сцинтилятору. Одним з таких потужних інструментів є – контрольоване допування ізовалентними і полівалентними домішками. Такий спосіб легко реалізувати при вирощуванні кристалів з розплаву.
  • Це пов'язано із забрудненням кристала конструкційними матеріалами при вирощуванні з розплаву.
  • З іншого боку, варіюючи складом такого твердого розчину, можна знижувати температуру розплаву, щодо Трозпл. чистого ZnS, що може істотно спростити технологічний процес отримання кристалічного об'ємного матеріалу.
  • Зразки для досліджень були отримані двома способами: твердофазним синтезом і вирощуванням кристала з розплаву (метод Бриджмена).
  • Найбільш ймовірні стехіометричні дефекти кристалів CdWO4, вирощених за методом Чохральського, обумовлені надлишком вольфраму в кристалічній ґратці внаслідок випаровування оксиду кадмію, а також видалення кисню з розплаву. Внаслідок цього в процесі росту спостерігається зміна стехіометричного складу розплаву в сторону дефіциту кадмію.
  • Необхідність вирощувати великорозмірні монокристали вольфрамату цинку в умовах відсутності підживлення розплаву вимагала створення такого кристалізаційного вузла, в якому можна було б забезпечити стабільні теплові умови в початковий період росту й динамічно змінювати їх у процесі вирощування, зберігаючи автономність режиму в камері охолодження. Цей факт може привести до відхилення від стехіометрії, що неприпустимо, так як ця сполука відноситься до класу дальтонидів в кристалі буде спостерігатися випадіння фази ZnO. Для забезпечення можливості одержання кристалів зі складом найбільш близьким до стехіометричного, необхідно створити умови які мінімізують зміну співвідношення вихідних оксидів у розплаві за рахунок випарювання, або початкове застосувати сировину з певним відхиленням від стехіометрії. У цих умовах фронт кристалізації був плоский або трохи опуклий в бік розплаву, а вирощений монокристал мав форму близьку до циліндричної.
  • Подібні ефекти спостерігались авторами у роботі [50 – 53], які стверджували, що подібні дендрити розвивалися із мікрозародків, які утворювалися при переохолодженні розплаву.
  • Через високу температуру плавлення (близько 1900 .С) кристали GAGG: Ce вирощують з розплаву методом Чохральського у іридієвих тиглях.