відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

рентгенолюмінесценція кристалів


Рисунок 3.7 – Температурна залежність інтегральної інтенсивності рентгенолюмінесценціі кристалів CdWO4
  • Дослідження температурної залежності рентгенолюмінесценції кристалів ZnSe(Ca) показало, що при низьких температурах люмінесценція екситона в цих кристалах не спостерігається, а інтенсивність крайової люмінесценції при Т < 50К стає вищою, ніж у чистого ZnSe (рис. 1.7).
  • 3.4 Рентгенолюмінесценція кристалів вольфрамату кадмію. Інтегральна інтенсивність рентгенолюмінесценції кристала CdWO4:Na в 1,5 рази перевищує таку для кристала CdWO4:WO3, і в 5,5 рази більше, ніж для кристала CdWO4:Ag.


Супермножина:


Споріднені вершини: