відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

результат


Рисунок 5.13 – Енергетична залежність ефективності поглинання рентгенівського випромінювання. Крива 1 відповідає поглинанню рентгенівського випромінювання в композиційному сцинтиляторі GSO(Ce), крива 2 – розрахункова крива поглинання в кристалічній пластині GSO(Ce) товщиною 0,3 мм.
  • За результатами проведеного комплексу досліджень були отримані сцинтиляційні матеріали з поліпшеними параметрами. Результати їх тестувань представлені в таблиці 1.2.
  • 2.3 Результати вимірювань спектрів оптичного пропускання
  • Результати досліджень впливу власних і домішкових дефектів на властивості монокристалів вольфрамату кадмію, описані в попередніх пунктах, дозволили сформулювати рекомендації для розробки технологічних прийомів отримання сцинтиляційного матеріалу з поліпшеними параметрами. Отримані результати досліджень лягли в основу розробленого нами способу вирощування сцинтиляційних монокристалів легованого вольфрамату кадмію, де у якості легуючої добавки в шихту або розплав вводять сполуки літію (Li2CO3 и/или Li2WO4). Величина післясвітіння для зразків кристалів з різною концентрацією легуючої домішки 5?10-4 – 10-1 мас% склала 0,001 – 0,008 % при вимірюванні через 20 мс після припинення опромінення, у той час як для номінально чистого монокристалу при аналогічних умовах ця величина складає 0,018 – 0,022 % (таблиця 3.3).
  • Результати вимірювань наведені в таблиці 4.2. Одержані результати показують шляхи одержання сцинтиляторів на основі ZnWO4 , легованого Ме3 +, з високими сцинтиляційними параметрами із менш дорогої, але більш забрудненої сировини.
  • Отримані результати показують, що збільшення світлового виходу в твердих розчинах є характерним не тільки для активованих рідкоземельними елементами сполук, але і для сполук з світінням власного АЛЕ. Результати розрахунку представлені на рис. 4.6а. Цей результат відповідає змодельованої величиною p(ћ.) (рис. 4.6) для даних кристалів, демонструючи застосовність моделювання для аналізу спектрів збудження. Ще однією особливістю структури енергетичних зон є наявність 3d-станів Zn в нижній частині валентної зони ZnWO4 [48, 49], в результаті чого відбувається збільшення щільності станів на дні валентної зони. Цей результат передбачає більш високу ефективність створення екситона з гемінальної електронно-діркової пари в твердому розчині в порівнянні з вихідними сполуками. Цей результат корелює з максимальним значенням світлового виходу, яке спостерігається для зразка з х = 0,5. Представлені результати дозволяють розглядати ZnxMg1-хWO4 як новий і перспективний сцинтиляційний матеріал.
  • Результат спостерігали в оптичний мікроскоп з наближенням 7 х 10 (рис. 4.10). Для кристалів твердих розчинів ZnxMg1-xWO4 розчин КОН проявив себе слабо – знадобилось багато часу для досягнення результату, тому травлення поверхні проводилося 4М розчином NaOH. На відміну від КОН, в якому зразки кип’ятилися протягом 40 хвилин, киплячий розчин NaОН надав потрібний результат за 25 хвилин. Травлення поверхні сколу кристалів ZnхMg1-хWO4 по площині (010) показало наступні результаті: було отримано ямки травлення нерівномірно розташовані по поверхні відколу, щільність яких зростала ближче до центру кристала, наприклад рис. 4.16, і склала 7 х 103 – 2 х 105 ямок / см2. В результаті проведених експериментів можна сказати, що середнє значення щільності дислокацій між усіма дослідженими кристалами ряду ZnxMg1-xWO4 становить від 102 до 7 х 104 ямок/см2. Усі результати травлення наведено у табл.4 6. Оскільки результати дослідження всіх зразків були ідентичні, в роботі наводиться лише однин результат – Zn0,5Mg0,5WO4. За отриманими результатами РФА та скануючої електронної мікроскопії можна зробити висновок, що зразки кристалів твердих розчинів ZnxMg1-xWO4 мають гомогенний монофазний склад заданої стехіометрії.
  • Результати вимірювань інтенсивності радіолюмінесценції композитних сцинтиляторів товщиною 1 мм приведено на рис. 5.4.
  • Нами було проведено експериментальне дослідження енергетичної селективності кожного композитного сцинтиляційного детектору рентгенівського випромінювання та співставлення отриманих даних з результатами обчислення енергетичних залежностей поглинання квантів рентгенівського випромінювання в детекторах. Далі було проведено обчислення енергетичної залежності ефективності поглинання рентгенівського випромінювання композиційним сцинтиляційним елементом ZnSe(Al) та зіставлення результатів розрахунків з експериментальною кривою (рис. 5.7). Базуючись на отриманих результатах, можна зробити висновок про високу ефективність поглинання рентгенівського випромінювання композиційним сцинтилятором на основі ZnSe(Al) у низькоенергетичному діапазоні (20 – 60 кеВ). Обчислення енергетичної залежності ефективності поглинання рентгенівського випромінювання композиційними сцинтиляційними елементами ZnWO4, LGSO(Ce) та GSO(Ce) та зіставлення результатів розрахунків з експериментальними кривими (рис. 5.11 – 5.13) також демонструють добре узгодження експериментальних та розрахункових даних. Базуючись на отриманих результатах, можна зробити висновок про високу ефективність поглинання рентгенівського випромінювання композиційними сцинтиляторами на основі LGSO(Ce) та GSO(Ce) у середньому діапазоні енергій (50-100 кеВ) – завдяки К-скачкам поглинання гадолінію (50,23 кеВ) та лютецію (63,3 кеВ).
  • Зважаючи на вищевказане логічним є впровадження результатів роботи у виробництво.