відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

провідність

  • Тривале післясвічення пов’язано з тим, що із збільшенням концентрації сірки, утворюються акцепторні рівні близько зони провідності, що можуть захоплювати електрони. У змішаних кристалах ZnS -ZnSe з малою концентрацією сірки акцепторних рівнів в зоні провідності значно менше, що обумовлює малий час висвічення та низький рівень післясвітіння.
  • При вимірюванні термостимульованої люмінесценції (ТСЛ) і термостимульованої провідності (ТСП) зразок поміщався в кріостат і охолоджувався рідким азотом до температури 80 К. Опромінення зразка вироблялося джерелом рентгенівського випромінювання РУП-200 (Е = 100 – 200 кВ, I = 1 – 4 мА, Мо антикатод, потужність дози 2 Р/с, час опромінення 1 – 10 хв).
  • Зменшення довжини термализации повинно відбуватися внаслідок нерівномірного розподілу заміщених іонів з утворенням кластерів, побудованих з одного компонента, або внаслідок модуляції електронних станів випадковим чином розподілених заміщених іонів дна зони провідності і вершини валентної зони [36]. Наприклад, в Gd3(AlxGa1х)5O12:Се нижчий 5d рівень Ce3+ знаходиться в безпосередній близькості від дна зони провідності або навіть в зоні провідності, коли значення х прагне до 0 [47, 48]. Сучасні розрахунки зонної структури показали незначний внесок s-електронна станів катіонів Mg та Zn у формування нижньої частини зони провідності [49].
  • Також, ще однією причиною зниження середньої відстані між термалізованими електронами і дірками може бути нерівномірний розподіл компонентів твердого розчину, що призводить до просторової флуктуації в нижній частині зони провідності і верхньої частини валентної зони (різниця ширини заборонених зон в ZnWO4 і MgWO4 становить близько 0,4 еВ). Локальні провали з'являться на дні зони провідності і у верхній частині валентної зони.