відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

отримання

  • Однак, можливість отримання сцинтиляційних кристалів, як селеніду цинку, так і оксидних сцинтиляторів, великої площі завжди технологічно обмежена. Дану задачу можна вирішити шляхом отримання композиційних сцинтиляторів на основі подрібнених кристалів. Для отримання зображення об'єкта в сучасних КТ застосовують багатоелементні фотодетектори з апертурою менше 1 мм. Таким чином, отримання композиційних сцинтиляторів може вирішити проблеми виготовлення детекторів для КТ з високим просторовим розрізненням, високою контрастною чутливістю, забезпечити можливість виготовлення мультиенергетичних детекторів без підвищення їх собівартості у порівнянні з традиційними детекторами.
  • 1 ОТРИМАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ДОПОВАНИХ КРИСТАЛІВ ZnSe З ПОЛІПШЕНИМИ СЦИНТИЛЯЦІЙНИМИ ПАРАМЕТРАМИ
  • 2 ВИВЧЕННЯ ФІЗИКО-ХІМІЧНИХ ОСОБЛИВОСТЕЙ ОТРИМАННЯ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СЦИНТИЛЯТОРІВ ЗМІШАНИХ КРИСТАЛІВ ZnS-ZnSe З іншого боку, варіюючи складом такого твердого розчину, можна знижувати температуру розплаву, щодо Трозпл. чистого ZnS, що може істотно спростити технологічний процес отримання кристалічного об'ємного матеріалу. Серед набору різних твердих розчинів сполук А2В6, особливий інтерес може представляти отримання та дослідження твердих розчинів ZnS-ZnSe.
  • 2.1 Отримання дослідних зразків сцинтиляторів на основі ZnSe та ZnS Отримання об'ємних кристалів твердих розчинів ZnSe-ZnS здійснювали в печі високого тиску методом Бріджмена-Стокбаргера в графітових тиглях при тиску інертного газу аргону 2*106 Па.
  • 3 ОТРИМАННЯ КРИСТАЛІВ CdWO4 З КЕРОВАНИМИ СЦИНТИЛЯЦІЙНИМИ ПАРАМЕТРАМИ Проблема отримання великогабаритних якісних монокристалів CdWO4 пов'язана з подоланням ряду технологічних складнощів, обумовлених фізикохімічними особливостями вихідних сполук (висока летючість CdO), і значним впливом дефектів (домішкових і власних) на функціональні характеристики сцинтиляційного матеріалу. Виходячи з цього, визначення природи дефектів, причин їх утворення та впливу технологічних факторів на оптичні та сцинтиляційні характеристики кристалів на стадії отримання сировини, вирощування та термообробки кристалів вольфрамату кадмію, а також умов взаємодії власних дефектів з різними домішками є актуальним завданням з точки зору можливості цілеспрямованого управління параметрами кристалів CdWO4 як ефективного сцинтиляційного матеріалу.
  • 3.9 Розробка способу отримання малоінерційного сцинтиляційного монокристала CdWO4 для томографії. Результати досліджень впливу власних і домішкових дефектів на властивості монокристалів вольфрамату кадмію, описані в попередніх пунктах, дозволили сформулювати рекомендації для розробки технологічних прийомів отримання сцинтиляційного матеріалу з поліпшеними параметрами. У способі отримання, запропонованому в [26], кристали вольфрамату кадмію вирощували традиційним методом Чохральського, але в розплав стехіометричного складу у якості легуючої добавки додатково вводили кобальт в кількості 1 . 10-3 – 5 . 10-3 мас. %. Нами була вирішена задача отримання сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію з низьким рівнем післясвітіння, без зниження світлового виходу і підвищеної однорідністю післясвітіння по довжині монокристалічної були отримані результати досліджень лягли в основу розробленого нами способу вирощування сцинтиляційних монокристалів легованого вольфрамату кадмію, де у якості легуючої добавки в шихту або розплав вводять сполуки літію (Li2CO3 и/или Li2WO4). Величина післясвітіння для зразків кристалів з різною концентрацією легуючої домішки 5?10-4 – 10-1 мас% склала 0,001 – 0,008 % при вимірюванні через 20 мс після припинення опромінення, у той час як для номінально чистого монокристалу при аналогічних умовах ця величина складає 0,018 – 0,022 % (таблиця 3.3).
  • ОПТИМІЗАЦІЯ УМОВ ОТРИМАННЯ ТА ВИГОТОВЛЕННЯ ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНИХ ЗРАЗКІВ КОМПОЗИТНИХ СЦИНТИЛЯТОРІВ НА ОСНОВІ ZnSe, CdWO4, ZnWO4 ТА ІНШИХ.
  • 5.1 Отримання дослідних зразків халькогенідних та оксидних композитних сцинтиляторів. При товщині панелі менше оптимальної – кількість сцинтиляційного матеріалу в зразку недостатня для отримання максимального рівня люмінесценції.
  • Суміш оксидів прожарювали в атмосфері Ar при температурі 1500 °С для отримання фази граната.
  • Оптимізовано умови отримання оксидних (CdWO4, ZnWO4) та халькогенідних (ZnSe, ZnS) кристалів з покращеними сцинтиляційними характеристиками. Оптимізовано умови отримання дрібнокристалічних сцинтиляторів для композитних панелей на основі ZnSe, ZnWO4 та ін.