відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

вирощування кристалів

  • Відомо декілька способів управління структурою точкових дефектів, і всим комплексом оптико-люминесцентных параметрів напівпровідникового сцинтилятору. Одним з таких потужних інструментів є – контрольоване допування ізовалентними і полівалентними домішками. Такий спосіб легко реалізувати при вирощуванні кристалів з розплаву.
  • Навіть при вирощуванні кристала вольфрамату кадмію в атмосфері кисню або на повітрі без цілеспрямовано введених домішок, вакансії в катіонній підґратці компенсуються відповідною кількістю вакансій кисню.
  • На першому етапі при завершенні процесу вирощування кристал після відриву охолоджувався в ростовій камері протягом 1 – 5 годин зі швидкістю 30 – 50 град/год до кімнатної температуриНа першому етапі при завершенні процесу вирощування кристал після відриву охолоджувався в ростовій камері протягом 1 – 5 годин зі швидкістю 30 – 50 град/год до кімнатної температури.
  • З сировини різної кваліфікації чистоти були вирощені кристали різного стехіометричного складу та з домішками одно-, двох-або трьохвалентних металів, а також сполук фтору.


Супермножина:


Споріднені вершини: