відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

вакансія кисню

  • Концентрація вакансій кисню в кристалі залежить від концентрації кисню в газовому середовищі при вирощуванні та відпалі. Проте виникнення вакансій в кристалі також обумовлено необхідністю зарядової компенсації дефектів в кристалічній ґратці. Навіть при вирощуванні кристала вольфрамату кадмію в атмосфері кисню або на повітрі без цілеспрямовано введених домішок, вакансії в катіонній підґратці компенсуються відповідною кількістю вакансій кисню. Введення домішок в кристал призводить до спотворення кристалічної ґратки, зумовленого різницею іонних радіусів заміщеного катіона і домішки у разі ізовалентного ізоморфізму, а також утворенню вакансій для забезпечення електронейтральності у разі гетеровалентного ізоморфізму. У разі одночасного входження в ґратку гетеровалентних домішок з надмірним і недостатнім зарядом можлива електронейтральність без створення вакансій.
  • Додаткові низькоенергетичні смуги люмінесценції, які, як правило, спостерігаються у ZnWO4, раніше зв'язувалися з присутністю домішок Мо [32,33], Fe [34] , а також структурними дефектами, такими як вакансії кисню [35].