відображення
сортування нова вкладка
email:
Пошук       Вибрана Вершина:       Вершина2:

Теоретична частина


Теоретична частина
  • Теоретична частина "Однією з ознак напівпровідників, за якою вони різняться від ме¬талів, є залежність їхньої питомої провідності а від температури. При низьких температурах вона меншає, і при абсолютному нулі напівпровідник стає ізолятором. При високих температурах еле¬ктрична провідність напівпровідників наближається до провідно¬сті металів.Електрони провідності утворюються в напівпровідниках вна¬слідок дії зовнішніх факторів (температури, освітлення, сильного електричного поля). Концентрація п вільних електронів в одини¬ці об'єму з підвищенням температури зростає за експоненційним законом.де ?Е - ширина забороненої зони; n0 - коефіцієнт, величина якого залежить від матеріалу. Величину ?Е називають також енергією активації.Кожному електронові у зоні провідності відповідає вакантне місце у валентній зоні з додатним елементарним зарядом. Його називають діркою. В чистому (без домішок) напівпровіднику кіль¬кість вільних електронів має дорівнювати кількості дірок. Отже, концентрація дірок у валентній зоніТемпературну залежність питомої провідності напівпровідни¬ків можна подати у вигляді:де величина ?0 - пропорційна добутку рп концентрацій електронів і дірок. Тоді експериментальну залежність опору напівпровідників від температури можна добре описати виразом:Логарифмуючи рівняння , отримаємо Отже, логарифм опору напівпровідників є лінійною функцією від величини 1/Т з кутовим коефіцієнтом ?Е / 2k."


Супермножина:


Споріднені вершини: